Гетеропереходы в полупроводниках реферат

Светодиоды и полупроводниковые лазеры Выполнили студенты гр. Готово: Выполнила студентка гр. Характерной особенностью зонной диаграммы является наличие скачков Ec и Ev на металлургической границе перехода. Расчетная схема тяговой подстанции. Разрыв потолка валентной зоны зависит как от разницы энергии сродства, так и от различия ширины запрещенных зон контактирующих полупроводников.

Гетеролазер - полупроводниковый лазер на основе гетероструктур. Идет загрузка презентации. Гетерофотодиоды значительно сложнее в изготовлении, чем кремниевые, однако имеющиеся технологические трудности постепенно преодолеваются. Войти с помощью социльных сетей Забыли пароль? Одной из причин обращения к гетеропереходам является возможность получить высокоэффективную инжекцию неосновных носителей в узкозонный полупроводник, то есть суперинжекция, заключающаяся в том, что концентрация инжектированных в базу носителей может на несколько порядков превысить их равновесное значение в змиттерной области см.

Электрическая схема привода и способы пуска асинхронного двигателя, расчет механической характеристики и энергетических показателей. Противопожарная профилактика при эксплуатации электроустановок. Работа электрической схемы управления автоматическим пуском электродвигателя постоянного тока в соответствии с заданным вариантом.

Пусковая диаграмма в виде механических характеристик. Схема управления пуском электродвигателя и описание работы схемы.

Гетеропереходы в полупроводниках реферат 9719576

Структурная схема системы электросвязи. Назначение отдельных элементов схемы. Расчет интервала корреляции, спектра плотности мощности и начальной энергетической ширины спектра сообщения. Средняя квадратическая погрешность фильтрации и мощность отклика. Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.

Рекомендуем скачать работу. Главная Коллекция "Otherreferats" Физика и энергетика Гетеропереходы.

Гетеропереходы, светодиоды и полупроводниковые лазеры Доклад. - презентация

Гетеропереходы Энергетическая схема гетеропереходов, их основные отличия от гомоперехода. Зонная диаграмма и структурная схема гетеролезера. Наличие скачков и принципиальные особенности гетеропереходов. Преподаватель: Комолов В. Преимущества гетеролазера перед гетеропереходы ПП лазерами Гетеропереходом называют контакт двух полупроводников различного вида и разного типа проводимости, например, pGe - nGaAs. На рисунке приведён пример зонной диаграммы гетероперехода.

По обе стороны от границы различные материалы. При другом выборе легирования компонентов возможен изгиб зон в разные стороны. Светодиоды видимого реферат В светодиодах используют полупроводниковые полупроводниках с плоской геометрией.

Прямозонные светодиоды красные формируются на подложках GaAs, непрямозонные оранжевые, желтые и зеленые — на подложках GaP.

Вирусы и антивирусные программы доклад краткоМетоды исследования в дипломной работе по налогообложению
Титульный лист для реферата руднЭссе по обществознанию философия является медициной души

При использовании подложки GaAs на нее наращивается переходный слой GaAs 1—x P x с переменным составом х изменяется в пределах 0—0,4а затем слой GaAs 1—x P x с постоянным составом. Светодиоды Светодиоды инфракрасного диапазона.

Светодиоды инфракрасного диапазона Области применения светодиодов ИК-излучения: оптоэлектронные устройства коммутации; оптические линии связи; системы дистанционного управления. Светодиоды Голубые светодиоды коротковолнового диапазона на соединениях нитрида галлия. Светодиоды коротковолнового диапазона Нитриды элементов третьей группы GaN, Гетеропереходы в полупроводниках реферат, InN и тройные соединения на их основе являются широкозонными полупроводниками с прямыми оптическими переходами.

Светодиоды коротковолнового диапазона Внутренний слой InGaN имеет меньшую ширину запрещенной зоны, чем наружный слой GaN, поэтому верхний электрод является прозрачным для оптического излучения видимого диапазона. В синих светодиодах на основе соединений GaN используется активный слой In 0,06 Ga 0,94 N, легированный цинком. В зеленых светодиодах активный слой толщиной 3 нм имеет состав In 0,2 Ga 0,8 N. Полупроводниковые лазеры Общие сведения. Общие сведения Полупроводниковым лазером называют оптоэлектронное диссертация тему телевидение, генерирующее когерентное излучение при пропускании через него электрического тока.

Другими словами, лазер — это тот же светодиод, который генерирует когерентное излучение. Принцип действия и конструктивные особенности полупроводниковых лазеров во многом сходны с полупроводниковыми светодиодами.

Общие сведения Конструктивно активный слой из p-n-перехода помещается между двумя металлическими электродами. Типичные размеры активной области не превышают — мкм, отражающие поверхности создаются гетеропереходы в полупроводниках реферат скалывания выходных граней полупроводникового монокристалла.

Полупроводниковая гетероструктура

Значение тока, при котором появляется линия когерентного излучения, называют пороговым током. Совместимость с основным элементом микроэлектроники - транзистором по типу используемых материалов и по технологии обработки.

Границы, определяющие "электронную" и "оптическую" толщины активной области W и W опт , не определенны и меняются от режима накачки. Гетерофотодиоды значительно сложнее в изготовлении, чем кремниевые, однако имеющиеся технологические трудности постепенно преодолеваются. Структурная схема системы электросвязи.

Это открывает принципиальную возможность создания интегрированных лазерных излучателей. Инжекционным лазерам присущи и определенные недостатки, к принципиальным можно отнести следующие:. Светодиод представляет собой полупроводниковый диод. Работа светодиода основана на спонтанной рекомбинационной люминесценции избыточных носителей заряда, инжектируемых в активную область базу светодиода.

Для светодиодов характерны два механизма излучательной рекомбинации:. Как и в случае лазеров наилучшим сочетанием параметров обладают гетеросветодиоды на основе гетероструктур, хотя специфика генерации некогерентного излучения позволяет широко использовать и светодиоды на основе однородных полупроводников. Переходя к гетероструктурам, отметим, что введение в них дополнительного гетеропереходы в полупроводниках реферат слоя с плавно изменяющимся значением Еg, обусловлено технологическими задачами: благодаря постепенному изменению состава меньше сказываются напряжения из-за несогласованности кристаллографических постоянных.

Укажем также, что p-области представляют собой многослойные образования, причем каждый из слоев характеризуется не только своим значением запрещенной зоны, но также видом и концентрацией легирующей примеси.

Структуры рис. Если в ДГС широкозонные "обкладки" активной области сделать достаточно толстыми или хотя бы одну из нихто подложку можно удалить стравитьи тогда лучи света, распространяющиеся вправо, не будут поглощены, а после отражения от нижней границы кристалла вновь направятся к левой поверхности и при попадании в апертурный угол выйдут наружу. Процесс отражения от границ вглубь кристалла может повторяться многократно до тех пор, пока световой луч не придет под нужным углом к левой поверхности.

При гетеропереходы в полупроводниках реферат нежелательного поглощения излучения в широкозонных областях не происходит. В таких многопроходных структурах с удаленной подложкой коэффициент вывода излучения может достигать гетеропереходы в полупроводниках реферат процентов.

Искусственные квантовые ящики и сверхрешетки находят все большее применение при разработке излучателей. По мере уменьшения толщин активных зон лазеров и светодиодов становятся существенными квантовые размерные эффекты, то есть явления, в которых малые геометрические размеры рассматриваемых областей обязывают учитывать квантовую природу свободных носителей заряда. Если толщину активной области двойной гетероструктуры реферат налог на вмененный до Wdl Б длина волны де Бройлято свободные электроны в этой области начнут вести себя подобно двухмерному газу.

Гетеропереходы в полупроводниках реферат 8212

Это значит, что в любой конкретный момент времени могут быть указаны лишь две координаты электрона y и z на рис. Такая сверхтонкая ДГС представляет собой квантовую яму или квантовый ящикудерживающую двухмерный электронный газ. Последовательное чередование большого числа таких ям образует сверхрешетку рис. В общем случае отдельные ямы в сверхрешетке не обязательно должны быть одинаковыми по глубине и ширине, как это представлено на рис.

Квантовые ящики и сверхрешетки изготавливают путем последовательного гетеропереходы в полупроводниках реферат выращивания сверхтонких около 10 нм слоев полупроводниковых соединений разного состава. Например, схема рис. Технологическая особенность сверхрешеток состоит в том, что вследствие малости толщин соседних слоев становится существенным выравнивающее действие механических напряжений: практически сверхрешетка, несмотря на различие состава слоев, имеет одно общее усредненное значение кристаллографической постоянной.

Можно предположить, что для излучателей это обстоятельство окажется более важным, чем физические факторы.

  • Все остальные энергетические уровни и зоны должны соответственно изогнуться, то есть в гетеропереходе возникают диффузионное электрическое поле и контактная разность потенциалов.
  • Главная Коллекция "Otherreferats" Физика и энергетика Гетеропереходы.
  • Такие состояния, несмотря на развитие эпитаксиальной технологии, неизбежно возникают при образовании гетеропереходов вследствие появления краевых дислокаций из-за несоответствия кристаллических решеток.
  • Гетеропереходом называют контакт двух полупроводников различного вида и разного типа проводимости, например, pGe - nGaAs.
  • Гетерофотодиоды работают и в режиме лавинного умножения, причем благодаря малой толщине активной области рабочее напряжение может составлять десятки вольт.
  • Таким образом, гетеропереходы могут обладать эффектом выпрямления.

Из физических и технологических особенностей сверхрешеток вытекает ряд важных для создания излучателей следствий, часть которых уже получила экспериментальное подтверждение: это получение более высоких, чем ранее, коэффициентов усиления волны в активной среде и, как гетеропереходы в полупроводниках реферат, уменьшение длины резонатора лазера или снижение порогового тока; достижение высокой подвижности в сильно легированном материале и на этой основе повышение быстродействия как самих излучателей, так и схем электронного обрамления; возможность "перевода" непрямозонных полупроводников в прямозонные, получение прямозонных структур с любой шириной запрещенной зоны, а также лазеров и светодиодов с перестраиваемой длиной волны, продвижение в сине-зеленую и УФ-область спектра; совмещение материалов с сильным структурным рассогласованием; неизбежность открытия новых полезных явлений при дальнейшем исследовании сверхрешеток.

Таким образом, развитие физики и становление техники приборов с искусственными квантовыми ямами и сверхрешетками приведет к качественному скачку в области излучателей и в оптоэлектронике в целом.

Фотодиод - это фотоприемник, представляющий собой полупроводниковый диод, сконструированный и оптимизированный так, что его активная структура оказывается способной эффективно воспринимать оптичское излучение.

1295260

Скрытые категории: Незавершённые статьи по физике Википедия:Статьи без сносок Википедия:Статьи без ссылок на источники Википедия:Статьи без источников тип: не указан. Пространства имён Статья Обсуждение.

Гетеропереходы

Просмотры Читать Править Править код История. Эта страница в последний раз была отредактирована 2 марта в Текст доступен по лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike ; в отдельных случаях могут действовать дополнительные условия.

Так же как и для гомоперехода, она может быть выражена через уровни Ферми в изолированных полупроводниках. Высота потенциального барьера для электронов, движущихся из вn-в р-область.

Гетеропереходы в полупроводниках реферат 2131

Если вблизи границы раздела двух полупроводников, образующих гетеропереход, возникают обедненные основными носителями слои слои с повышенным сопротивлениемто основная часть внешнего напряжения, приложенного к структуре с гетеропереходом, будет падать на обедненных слоях.

Высота потенциального барьера будет изменяться: уменьшаться при полярности внешнего напряжения, противоположной полярности контактной разности потенциалов, и увеличиваться при совпадении их полярностей. Таким образом, гетеропереходы могут обладать гетеропереходы в полупроводниках реферат выпрямления.

Из-за различия по высоте потенциальных барьеров для электронов и для дырок прямой ток гетероперехода связан в основном с движением носителей заряда только одного знака. Поэтому при приложении прямого напряжения будет преобладать инжекция электронов, даже если p-область имеет такую же а иногда и большую концентрацию основных носителей, что и n-область.

В гетеропереходах, образованных полупроводниками с одним типом электропроводности: p 1 - p 2 ,n 1 -n 2. Зонная модель идеального гетероперехода, может быть использована для реальных гетеропереходов с определенным приближением, так как почти всегда на границе раздела гетероперехода присутствуют заряженные поверхностные состояния уровень Ферми оказывается фиксированным, вместо ровного хода для одной из зон имеет место барьер типа Шоттки.

DEFAULT2 comments